十万个为什么共168篇
电烙铁的漏电电压和接地电阻标准是多少?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

电烙铁的漏电电压和接地电阻标准是多少?

电烙铁的漏电电压标准是<20mV,电阻是小2ohms
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物品的摩擦电压如何测试?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

物品的摩擦电压如何测试?

电压测试方法可参考SJ/T10694-2006(摩擦起电机摩擦起电)、SJ/T10694-1996(手动摩擦起电),下面我们谈谈国标的测试方法,如下: SJ/T10694-2006(摩擦起电机摩擦起电) 使非接触式静电电压表...
静电防护的头像-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享黄金会员静电防护6年前
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温度对静电有什么影响?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

温度对静电有什么影响?

大家在做静电防护的时候,关注可能就是湿度,其实温度对静电也有影响? 因温度升高物质活性增强摩擦电压增加;同时温度升高部分物质的导电性增强,易于消除静电。
阳极氧化与导电氧化的区别是什么?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

阳极氧化与导电氧化的区别是什么?

1、阳极氧化是在通高压的情况下进行的,它是一种电化学反应过程;而导电氧化(又叫化学氧化)不需要通电,只需要在药水里浸泡就行了,它是一种纯化学反应。 2、阳极氧化需要的时间很长,往往要...
静电耗散材料是指?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

静电耗散材料是指?

静电耗散材料(electrostatic dissipative material)具有以下特性: 表面导电型:具有表面电阻率大于或等于1.0*10e5ohms,但小于1.0*10e12ohms的材料;或表面电阻大于或等于1.0*10e6ohms但小于...
静电地线与设备地线可以共用吗?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

静电地线与设备地线可以共用吗?

不能共用,设备上用的是交流电(高电流,低电压),静电(高电压,低电流)。 不能接在一起的是预防设备漏电,电流返流会电击作业人员。防静电的接地电阻(GB的是1M-1000M)都可以用。主要就是...
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仪器测量单位Ohms/SQ和S20.20标准里的Ohms有什么区别?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

仪器测量单位Ohms/SQ和S20.20标准里的Ohms有什么区别?

某款仪器测量单位是Ohms/SQ的话,它使用背后平行金属条测的是电阻率,用两个重锤测量的是表面电阻,这在仪器的面板上一般是有注明的。在测量过程中针对单层材料,电阻与电阻率相差大约10倍。
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危险化学品仓库需要做静电防护措施吗?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

危险化学品仓库需要做静电防护措施吗?

危险化学品仓,还是要做下静电防护的。 1、电气方面:防爆型 2、地面:防静电地面 3、工具:栈板采用木制或者防静电的,库房周边要有防泄露槽 4、建立要求:库房中间位置高于地面30cm左右位置安...
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人体的接地标准为何要设置35兆欧的上限?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

人体的接地标准为何要设置35兆欧的上限?

在测量时,有的人就会问为什么我们要设置上限为35兆欧,而不是40兆欧或30兆欧,那么我们就来讲下: 一般的对应关系(人体对地电阻的上限)如下: 100V—35兆欧 50V—20兆欧 10V—1兆欧
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生产车间环境相对湿度与静电产生的关系-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

生产车间环境相对湿度与静电产生的关系

工厂车间环境湿度越低,就越容易产生静电; 反之,不是说湿度越高就越好,湿度越高生产所使用的湿敏器件就存在风险; 所以工厂的湿度需要根据产品及物料管控来定义,不过一般工厂湿度都定义在40...
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防静电泄漏电阻如何理解偏大好还是偏小好?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

防静电泄漏电阻如何理解偏大好还是偏小好?

防静电泄漏电阻要求常为106Ω、108Ω、1010Ω等等,这是什么概念?如何理解偏大好还是偏小好? 在防静电衣物等的测量记录里常要求安全的静电的泄漏电阻为106--1010Ω之间 ,在防静电最小安全电...
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什么是闩锁效应?-爱上低电量 - 静电防护(ESD)圈-记录工厂ESD&环境知识点学习分享

什么是闩锁效应?

闩锁(latchup)效应是描述半导体器件内发生的特殊类型短路的一个术语。形成的寄生结构包含P道MOSFET和N沟MOSFET晶体管,从而导致寄生的PNPN结构产生。在MOSFET电路的电源供给线之间会意外形成...
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