到现在为止，ESD和EOS的FA测试与分析主要还是对现有失效器件采用必要的设备进行形貌、电流分布热点观察以及成分观察后对比HBM模式实验结果来确认，暂时不能在生产现场立刻获得ESD失效的依据。

EOS和ESD一般都是通过FA看内部损坏的情况再界定。 EOS因为是过电应力的损坏，所以一般都有比较明显的损坏痕迹，例如wire烧毁，芯片明显的burn mark，fused compound，fused silicon等等，因为过...

EOS（过电应力）对电子系统来说与半导体器件相关。EOS事件是可观察到的电气条件分类之一。 EOS事件可包括： 静电放电（ESD） 系统瞬态 雷击 充电 电磁脉冲（Electromagnetic Pulse，EMP） 然而E...

大家接触过ESD的静电来源，也知道大概的防护方向，那么EOS的来源有哪些呢，我们来细分下： 雷击 电磁脉冲 机械装置 配电装置 开关、继电器和线圈 产品设计

对于EOS的失效可能是技术兼容性、负载、电路板或系统集成产生的。那么其它的失效机理有哪些呢？ 1、半导体工艺和应用不匹配 2、键合引线失效 3、外部负载导致的芯片失效 4、印刷电路板（PCB）至...